دورة الميكروكونترولر من البداية وحتى الاحتراف3 ذاكرة القرأة فقط ROM
ذاكرة القرأة فقط ROM
ال ROM غير متطايرة . إذا تم ازالة القدرة عن ال
ROM ثم اعيدت مرة اخرى فان البيانات الأصلية ستظل كما هى . ويدل اسمها ان
البياتات فيها تقرا فقط وهذا غير صحيح تماما.
معظم تقنيات ال ROM
تتطلب خوارزمية( نظام او برنامج للحل الحسابى ) وجهد لكتابة البيانات على
الرقاقة. وبدون استخدام هذه الخوارزمية الخاصة والجهد ، فإن أي محاولة
للكتابة على ذاكرةROM لن يكتب لها النجاح.
تستخدم اليوم العديد من أنواع التقنيات المختلفة من الROM :
1-
ذاكرة للقراءة فقط مبرمجة مقنعة ( مخبئة ) Masked-programmed (MROM) وهى
نوع من ال ROM والتي يتم برمجتها عندما يتم تصنيعها.وفيها يقوم صناع أشباه
الموصلات بوضع البيانات الثنائية في الذاكرة حسب طلب ومواصفات الزبون.
ليكون رخيصا من حيث التكلفة حيث يتم عمل عدة آلاف من رقائق الذاكرة MROM كل
منها يحتوي على نسخة من البيانات نفسها (أوالبرنامج). كثير من الناس
يطلقون على ال MROM ال ROM .
2- ذاكرة للقراءة فقط مبرمجة (PROM)
وهو نوع من ذاكرة القراءة فقط التي يمكن برمجتها في مكان العمل (في كثير من
الأحيان من قبل المستخدم النهائي) باستخدام جهاز يسمى مبرمج ال PROM او
حارق ال PROM.
وبمجرد برمجة ال PROM فانه لا يمكن تغيير محتواها .وذاكرة
ال PROM تعتمد على مصهرات fuse بمعنى ان المستخدم النهائي يقوم ببرمجة
المصهرات لتكوين محتويات الذاكرة.
3- ذاكرة للقراءة فقط القابلة
للمحو(للمسح) (EPROM) وهى نوع من ذاكرة القراءة فقط التى يمكن مسحها
بتعريضها للأشعة فوق البنفسجية القوية.
تصميم دائرة بها EPROM يتطلب من المستخدم محو محتوياتها قبل كتابة قيم جديدة عليها .
توجد نافذة من الكوارتز فى أعلى الدائرة المتكاملة EPROM لتسمح للأشعة فوق البنفسجية بالسقوط مباشرة على رقائق السليكون في الداخل.
بمجرد برمجة الرقاقة تغطى النافذة بشريط داكن لمنع المحو التدريجي للبيانات.
في حالة عدم وجود النافذة فان رقاقة ال EPROM تكون قابلة للبرمجة لمرة واحدة فقط.
تستخدم الEPROM كثيرا في نماذج الكمبيوتر prototype حيث يتم إعادةالبرمجة عدة مرات حتى الوصول الى الكمال .
لا يسمح ال EPROM بمحو محتوى موقع معين . والطريقة الوحيدة هى محو كل محتويات رقاقة ال EPROM ثم اعادة برمجتها .
تتم برمجةرقاقة ال EPROM كهربائيا باستخدام جهاز يسمى مبرمج ال EPROM.
اليوم
اغلب المبرمجات اصبحت عامة بمعنى انها يمكن ال تقوم ببرمجة عدة انواع من
الذاكرة مثل EPROM ، EEPROM ، ذاكرة الفلاش flash memory ، وبرمجة ألاجهزة
المنطقية.
4- ذاكرة للقراءة فقط القابلة للمسح كهربيا (EEPROM) وهى نوع من الذاكرة غير متطاير ويمكن أن تمحى ويعاد برمجتها باشارات كهربية .
وهى
مثل ال EPROM فتصميم دوائر EEPROM يتطلب أيضا من المستخدم محو محتويات
الذاكرة قبل كتابة قيم جديدة عليها . تسمح ال EEPROM بمحو موقع معين واعادة
برمجته .
على العكس من ال EPROM فان ال EEPROM يمكن محوها وبرمجتها
باستخدام نفس المبرمج.ولكن بدفع ثمن لهذه المرونة فى القابلية للمسح . فثمن
رقاقة ال EEPROM اكثر بكثير من رقاقة ال EPROM التى لها نفس الخواص .
5- تم اختراع ذاكرة الفلاش لدمج مزايا وتجنب مساوئ تقنيات كل من EPROM وEEPROM .
ذاكرة الفلاش يمكن محوها وبرمجتها في النظام دون استخدام جهاز برمجة خاص .
وهى
تحقيق خصائص ال EPROM لكن لا تحتاج إلى نافذة للمحو.ومثل ال EEPROM
فذاكرة الفلاش يمكن برمجتها ومحوها كهربائيا.ومع ذلك ، لا تسمح بمحو مكان
معين من الذاكرة ولكن يمكن للمستخدم فقط محو اما جزء او كامل الرقاقة .
ويزداد اليوم أكثر فأكثر إدراج رقاقة ذاكرة الفلاش داخل رقاقة الميكروكونترولر MCUs لتخزين البيانات والبرامج.
مثال ذلك ذاكرة الفلاش المعتمدة داخل الميكروكونترولر PIC .
تعليقات
إرسال تعليق